p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性  

Current-Voltage Characteristic of Alloyed Ni/Au on p-GaN

作　　者：王彦杰[1] 杨子文[1] 廖辉[1] 胡成余[1] 潘尧波[1] 杨志坚[1] 章蓓[1] 张国义[1] 胡晓东[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期372-375,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60477011,60476028,60406007,60276010)

摘　　要：运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.

关 键 词：P-GAN 传输线 镜像力 Ni/Au电极 

分 类 号：O472+.4[理学—半导体物理]