p型GaN上透明电极的研究现状  

Latest Progress of Transparent Electrode on p-Type GaN

作　　者：董建新[1] 方亮[1,2] 张淑芳[1] 高岭[1] 孔春阳[3] 

机构地区：[1]重庆大学应用物理系,重庆400044 [2]重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400044 [3]重庆师范大学物理与信息技术学院,重庆400047

出　　处：《真空科学与技术学报》2007年第z1期5-9,共5页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：教育部"新世纪优秀人才支持计划"(NCET-05-0764)和重庆市科技攻关重大项目(CSTC2005AA4006-A6)和重庆大学研究生创新基金资助项目

摘　　要：GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料.本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了获得良好电极性能的途径,并从电极的制备方法、光电特性等方面讨论了近年来透明导电薄膜作为p-GaN接触的研究进展,并对未来的发展方向进行了简要说明.

关 键 词：透明导电膜 GAN 欧姆接触 透明电极 

分 类 号：O484[理学—固体物理]