分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜  

作　　者：严辉[1] 谭利文[1] 宋雪梅[1] 王波[1] 陈光华[1] 姚振宇[1] 刘立明[1] 程业浩[1] 

机构地区：[1]北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 中国原子能科学研究院,北京,102413 中国原子能科学研究院,北京,102413 中国原子能科学研究院,北京,102413

出　　处：《材料科学与工程学报》2000年第z2期612-614,共3页Journal of Materials Science and Engineering

基　　金：北京市青年科技骨干培养基金和北京市自然科学基金资助项目

摘　　要：采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.

关 键 词：分步偏压 SIC 溅射氚渗透率 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]