2890万美元项目研制新型GaN晶体管  

作　　者：韩潇 

出　　处：《半导体信息》2009年第6期9-,共1页Semiconductor Information

摘　　要：美国国防部高等研究计划局与Northrop Grumman公司签订了一项2890万美元的合同。负责电子和传感器开发的副董事Streit称,该项目能使新型GaN晶体管和集成电路技术得到发展。

关 键 词：美元 计划局 本位币 晶体管 半导体三极管 GAN 

分 类 号：F416.6[经济管理—产业经济]