用于0.5μm 门阵列的存储器宏单元构成方法  

作　　者：睦觉 孙伯祥 

出　　处：《电子与封装》2002年第6期43-47,共5页Electronics & Packaging

摘　　要：1前言 随着微细加工技术的进展,门阵列在高性能、高集成方面向前飞速发展着.最近发表了一些可搭载门规模为100K门以上的大规模、全面敷设型门阵(SOG).在此状况下,我们(NTT电子技术设计部、NTTLSI研究所)开发了面向通信用LSI的0.5μm250k门CMOS门阵列.

关 键 词：存储器单元 逻辑门 门阵列 宏单元 构成方法 存储单元 仪表组合单元 

分 类 号：TN305.94[电子电信—物理电子学]