存储器单元

作品数：24被引量：14H指数：2
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两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
《电子与信息学报》2024年第10期4072-4080,共9页闫爱斌 李坤 黄正峰 倪天明 徐辉 
国家自然科学基金(61974001)。
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单...
关键词：CMOS 静态随机存储器单元 抗辐射加固 单节点翻转 双节点翻转 
脉冲窄化型抗辐射静态存储器单元加固结构
《现代应用物理》2023年第2期182-186,共5页周昕杰 殷亚楠 郭刚 陈启明 
抗辐射应用技术创新中心基金资助项目(KFZC2019040305)。
为减小单粒子电荷共享效应对纳米量级静态存储器单元的影响,提出了一种基于双互锁冗余加固(dual interlocked storage cell, DICE)静态随机存储器(static random access memory, SRAM)单元的新型布局结构。该结构融入了脉冲窄化技术,并...
关键词：辐射效应 单粒子电荷共享效应 辐射加固 静态存储器单元 
基于相变存储器单元的高速电流脉冲测试系统被引量：2
《重庆理工大学学报（自然科学）》2020年第6期195-199,共5页王玉菡 曾自强 王玉婵 
国家自然科学基金青年科学基金项目(61804020);重庆市教委科学技术研究项目(KJ1709212,KJ1600439);重庆理工大学青年科研项目星火支持计划项目(2014XH10);重庆邮电大学博士启动基金项目(A2015-38);重庆邮电大学自然基金项目(A2015-51)。
相变存储单元的测试平台多为电压测试平台,但是电压操作存在可控性差等问题,直接影响操作过程中的速度和功耗,且芯片中对单元的操作一般为电流操作,基于此,设计搭建了纳秒级电流脉冲测试系统。该系统采用自主研发的高速可编程恒流驱动...
关键词：相变存储器 电流脉冲 测试系统 可靠性 
新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应被引量：2
《物理学报》2019年第16期344-352,共9页王硕 常永伟 陈静 王本艳 何伟伟 葛浩 
国家自然科学基金(批准号:61574153)资助的课题~~
静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅...
关键词：静态随机存储器单元 总剂量辐射效应 绝缘体上硅 体接触 
斯坦福大学开发单晶体管单阻变存储器单元
《半导体信息》2017年第6期19-20,共2页
美国斯坦福大学的研究人员证明,由单层钼二硫化钼制成的场效应晶体管能够驱动阻变存储器。近日,在美国电气与电子工程师协会国际电子器件会议上,该研究成果被报告。这是个关键里程碑,意味着在单片三维集成芯片中存储与逻辑器件能够融为...
关键词：美国斯坦福大学 单晶体管 存储单元 存储器 开发 场效应晶体管 研究人员 二硫化钼 
三维存储器的存储单元形状对其性能的影响
《微纳电子技术》2015年第7期409-413,420,共6页丰伟 邓宁 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA010403)
简要介绍了三维存储器出现的背景和几种得到广泛关注的三维存储器;建立模型分析了位成本缩减(BiCS)、垂直堆叠存储阵列(VSAT)和垂直栅型与非闪存阵列(VG-NAND)三种代表性的三维存储器的存储单元的形状对其性能的影响,从理论分析的角度...
关键词：三维 与非型闪存 存储器单元 形状 Sentaurus仿真 
“功能安全产品实现技术”系列讲座 第10讲 实用功能安全设计技术解析被引量：1
《自动化仪表》2014年第3期92-94,共3页谢亚莲 廖丽华 
针对在设计和开发功能安全相关产品中控制失效的要求及标准中推荐的控制失效的技术和措施的建议,详述了控制随机硬件失效中对可变内存RAM进行诊断测试的Galpat测试法和March测试法,并分析了这两种测试方法可测试的RAM故障类型,以及如何...
关键词：功能安全 控制失效 安全完整性 多样化冗余 存储器单元 单元阵列 
铁电存储器单元信号的测试与研究被引量：1
《微电子学》2013年第6期792-796,801,共6页翟亚红 李威 李平 胡滨 李俊宏 辜科 
国家自然科学基金资助项目(61204084)
基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电...
关键词：铁电电容 铁电存储器 位线电容 读出容差 
几种静态随机存储器单元的性能分析
《科技信息》2011年第8期103-104,106,共3页尹松 
本文分析了四种不同晶体管数量（6管~9管）的八种不同结构SRAM单元。对每个单元的工作原理进行了分析,结合设计实例和模拟结果对这些SRAM单元的功耗、读写能力、稳定性等性能进行了对比,并总结了一些设计经验。
关键词：静态随机存储器 静态噪声容限 功耗 稳定性 
Ge_2Sb_2Te_5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性被引量：2
《功能材料》2005年第8期1196-1199,共4页凌云 林殷茵 赖连章 乔保卫 赖云锋 冯洁 汤庭鳌 蔡炳初 Bomy.Chen 
国家自然科学基金资助项目(60376017);上海市纳米专项基金资助项目(0352nm011)
对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于...
关键词：非晶半导体 阈值电压 相变存储器 
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