丰伟

作品数:1被引量:0H指数:0
导出分析报告
供职机构:清华大学更多>>
发文主题:存储密度复合层俘获隔离层刻蚀更多>>
发文领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊:《微纳电子技术》更多>>
所获基金:国家高技术研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-1
视图:
排序:
三维存储器的存储单元形状对其性能的影响
《微纳电子技术》2015年第7期409-413,420,共6页丰伟 邓宁 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA010403)
简要介绍了三维存储器出现的背景和几种得到广泛关注的三维存储器;建立模型分析了位成本缩减(BiCS)、垂直堆叠存储阵列(VSAT)和垂直栅型与非闪存阵列(VG-NAND)三种代表性的三维存储器的存储单元的形状对其性能的影响,从理论分析的角度...
关键词:三维 与非型闪存 存储器单元 形状 Sentaurus仿真 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部