斯坦福大学开发单晶体管单阻变存储器单元  

出　　处：《半导体信息》2017年第6期19-20,共2页Semiconductor Information

摘　　要：美国斯坦福大学的研究人员证明,由单层钼二硫化钼制成的场效应晶体管能够驱动阻变存储器。近日,在美国电气与电子工程师协会国际电子器件会议上,该研究成果被报告。这是个关键里程碑,意味着在单片三维集成芯片中存储与逻辑器件能够融为一体。斯坦福大学研究人员开发的芯片被称为＂单晶体管单阻变存储器＂（1T1R）单元。这种1T1R存储单元相对于含有阻变存储器但没有晶体管的存储单元,能够提供极大好处。没有晶体管的情况下,

关 键 词：美国斯坦福大学 单晶体管 存储单元 存储器 开发 场效应晶体管 研究人员 二硫化钼 

分 类 号：TP332[自动化与计算机技术—计算机系统结构]