优良的单管存储(Flash Memory)单元  

作　　者：杜支华[1] 

机构地区：[1]无锡微电子科研中心中微设计公司,江苏无锡214035

出　　处：《电子与封装》2001年第2期37-39,共3页Electronics & Packaging

摘　　要：本文介绍了单管存储(Fiash Memory)单元的优点、单元结构及工作原理。

关 键 词：FLASH MEMORY 单元结构 EEPROM EPROM 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学] TN432