Ge组分对Si_(1-x)Ge_x HBT反向击穿特性影响的研究  

The Effect of Ge Component on the Reverse Breakdown Characteristics of Si_(1-x)Ge_x HBT

作　　者：刘兴辉[1] 王立伟[1] 刘爽[1] 林洪春[1] 何学宇[1] 

机构地区：[1]辽宁大学物理学院,辽宁沈阳110036

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2011年第1期1-4,共4页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

基　　金：辽宁省教育厅科研项目资助(L2010152);辽宁大学博士启动基金(2006009)资助;辽宁大学青年科研基金资助

摘　　要：构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,但可导致晶体管的耐压降低,BVcbo、BVceo、BVebo等击穿电压均随x组分的增加而减少.本研究对利用软件实现器件的虚拟制造、以及设计中如何进行合理的组分剪裁从而获取综合性能的优化有一定意义.A physical model for SiGe heterojunction bipolar NPN transistor was built.On the basis of analyzing working mechanism of heterojunction bipolar transistor,the Ge component impacts on reverse breakdown characteristics were simulated with ISE_TCAD10.0 software.The results of numerical simulation indicate: for the same other parameters,the transistor current gain increase but breakdown voltage,such as BVcbo,BVceo and BVebo,reduce with increasing Ge component.The study is significant in implementation of virtual manufacturing device and how design a reasonable components cut in order to obtain comprehensive performance optimization.

关 键 词：SiGe 异质结双极晶体管 ISE_TCAD 反向击穿特性 

分 类 号：N55[自然科学总论]