刘爽

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发文主题:ISEHBTTCAD击穿特性异质结双极晶体管更多>>
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Ge组分对Si_(1-x)Ge_x HBT反向击穿特性影响的研究
《辽宁大学学报(自然科学版)》2011年第1期1-4,共4页刘兴辉 王立伟 刘爽 林洪春 何学宇 
辽宁省教育厅科研项目资助(L2010152);辽宁大学博士启动基金(2006009)资助;辽宁大学青年科研基金资助
构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,...
关键词:SiGe 异质结双极晶体管 ISE_TCAD 反向击穿特性 
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