单粒子效应机理研究用130nm半导体器件设计  

作　　者：史淑廷[1] 张志超[1] 任义[1] 陈立[1] 郭刚[1] 

机构地区：[1]核物理研究所 萨斯喀彻温大学计算机与电子工程学院

出　　处：《中国原子能科学研究院年报》2012年第1期59-60,共2页

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11105230)

摘　　要：正随着半导体器件特征尺寸的减小、集成度的增加及处理速度的提高,单粒子效应对半导体器件的危害愈演愈烈。因此为保障宇宙空间电子设备的安全,必须对目前主流的纳米级半导体器件的单粒子效应机理开展研究,从而采取必要的抗辐射加固措施。研究离子入射到半导体器件敏感区内的电荷产生及收集机制是单粒子效应机理研究的基本方法。

关 键 词：单粒子效应 半导体器件 机理研究 电子设备 加固措施 小特征尺寸 敏感区 纳米级 电荷 效应机理 

分 类 号：TL52[核科学技术—核技术及应用] TN303[电子电信—物理电子学]