Super Performance InGaP/GaAs HBT with Novel Structure  

高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管(英文)

作　　者：白大夫[1,2] 刘训春[1] 王润梅[1] 袁志鹏[1,2] 孙海锋[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所 [2]中国科学院研究生院,北京100039

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第7期756-761,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~

摘　　要：A kind of super performance InGaP/GaAs HBT with f T=108GHz and f max =140GHz is demonstrated.The excellent frequency performance results from the novel structure of the U shaped emitter,together with self aligned emitter and LEU(lateral etched undercut) technologies.The HBT with the novel structure shows a distinguished performance with BV CEO up to 25V.And excellent performance of low V offset of 105mV and V knee of 0 50V is great favor of low power applications.The differences due to the different structure are also compared.报道了一种采用 U形发射极新结构的高性能 In Ga P/ Ga As HBT.采用自对准发射极、L EU等先进工艺技术实现了特征频率达到 1 0 8GHz,最大振荡频率达到 1 4 0 GHz的频率特性 .这种新结构的 HBT的击穿电压达到 2 5 V,有利于在大功率领域应用 .而残余电压只有 1 0 5 m V,拐点电压只有 0 .5 0 V,使其更适用于低功耗应用 .同时 。

关 键 词：heterojunction bipolar transistor U  shaped emitter self  aligned emitter thermal handling capacity 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]