白大夫

作品数：2被引量：7H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：INGAP/GAAS_HBTHBT线性化器ALIGNEDSHAPED更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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Super Performance InGaP/GaAs HBT with Novel Structure被引量：6
《Journal of Semiconductors》2004年第7期756-761,共6页白大夫 刘训春 王润梅 袁志鹏 孙海锋 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~
A kind of super performance InGaP/GaAs HBT with f T=108GHz and f max =140GHz is demonstrated.The excellent frequency performance results from the novel structure of the U shaped emitter,together with sel...
关键词：heterojunction bipolar transistor U  shaped emitter self  aligned emitter thermal handling capacity 
ISM Band Medium Power Amplifier被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第6期626-632,共7页白大夫 刘训春 袁志鹏 钱永学 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~
With the large-signal model extracted from the InGaP/GaAs HBT with three fingers,a three-stage,class AB power amplifier at ISM band is designed.Through the optimization of the traditional bias network,the gain compres...
关键词：heterojunction bipolar transistor power amplifier bias network gain compression quiescent bias current 
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