深亚微米设计中天线效应的消除  

Solution of Process Antenna Effect in Deep-Submicron Design

作　　者：杨旭[1] 黄令仪[1] 叶青[1] 周玉梅[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第7期879-883,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：分析了 PAE效应 (process antenna effect)的成因 ,并在此基础上提出了几种在深亚微米 ASIC设计中消除PAE效应的方法 .其方法应用于“龙芯 - I CPU”的后端设计 。PAE (process antenna effect) is a phenomenon of plasma induced gate oxide degradation.It directly affects manufacturability of VLSI circuits,especially in deep submicron technology using high density plasma processes.Base on analysis of PAE,several estimating algorithms and solutions are provided.And these methods are adopted in the Godson-I CPU's back-end design successfully.

关 键 词：PAE效应 等离子 栅氧化层 可靠性 EEACC 1265A 2570A 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]