半导体光学材料及制备  

出　　处：《中国光学》1994年第2期88-92,共5页Chinese Optics

摘　　要：TN304 94021444半导体量子阱定域激子辐射寿命研究[会,中]/黄旭光,刘达,余振新(中山大学激光与光谱学研究所)//广东省光学学会第二届学术报告会.-广东韶关,93.7运用激子跃迁动力学理论导出了量子阱定域激子辐射复合寿命的理论公式。

关 键 词：本征半导体 多孔硅发光 三光子吸收 跃迁速率 复合寿命 吸收系数 激子跃迁 制备 少子扩散长度 定域激子 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]