检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]核技术应用研究所
出 处:《中国原子能科学研究院年报》2013年第1期119-120,共2页
摘 要:为使含氘靶与激光相互作用,对于靶材的储氘能力以及储氘稳定性都有较高的要求。综合目前的情况选择靶材有两种,一种是薄膜靶吸附氘作为靶材,另一种是氘代聚合物靶材。薄膜靶设计分成单层靶与复合靶两种。单层储氘薄膜靶的制作可以通过两种途径获得,一种是制作μm量级Ti薄膜通过储氘装置高温高真空反复除气去氧化后,在高压氘气环境中直接储氘后真空封装作为靶材;另一种则是在NaCl晶体薄片上镀Ti膜,通过储氘装置处理储氘后真空封装。
关 键 词:真空封装 复合靶 靶材 除气 高真空 微米量级 吸氢 流量控制器 速度降 同位素效应
分 类 号:TN24[电子电信—物理电子学]
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