掺杂浓度对稀磁性半导体(Ga,Fe)As的晶格常数及磁性质的影响  

The effect of concentration of impurity on lattice constants and magnetic configurations of diluted magnetic semiconductor (Ga_(1-x)Fe_x)As

作　　者：危书义[1] 闫玉丽[1] 张莹[1] 

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007

出　　处：《河南师范大学学报（自然科学版）》2004年第3期33-35,共3页Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：河南省高校青年骨干教师资助计划项目;河南省教育厅自然科学基础研究计划项目(2003140027)

摘　　要：运用第一性原理下的LMTO ASA方法计算了稀磁半导体Ga1-xFexAs(x=1,1/4,1/8)在不同磁状态下的总能量,由能量最低原理我们得到其相应的晶格常数及磁状态.We have used self-consistent tight-binding linear muffin-tin orbital (TB-LMTO) method with the atomic sphere approximation (ASA) for (Ga_(1-x)Fe_x)As. From the variation of total energy with lattice constant for different magnetic configurations (PM, FM, AFM), we get the optimized lattice constants and magnetic configurations of (Ga_(1-x)Fe_x)As for x=1, 1/4, 1/8.

关 键 词：稀磁半导体 晶格常数 铁磁态 反铁磁态 

分 类 号：O472[理学—半导体物理] C482[理学—物理]