引线键合技术的现状和发展趋势  

作　　者：何田[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊101601

出　　处：《电子工业专用设备》2004年第10期12-14,77,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：作为目前和可预见的将来半导体封装内部连接的主流方式,引线键合技术不断变化以适应各种半导体封装新工艺和材料的要求和挑战。以引线键合设备为中心,全面深入地综述了引线键合技术在引线间距(键合精度)、生产效率(键合速度)、键合质量与可靠性(超声焊接、熔球过程及线弧形状的精确控制)等方面的当前状况。同时也总结了铜互联材料、低介电常数材料、有机(柔性)基底材料、多芯片模块(MCM)和层叠芯片(stackeddie)等半导体封装新趋向对引线键合技术的影响。在此基础上对引线键合技术在未来中长期的发展趋势进行了展望。

关 键 词：引线键合 引线间距 生产效率 多芯片模块 层叠芯片 

分 类 号：TN305.96[电子电信—物理电子学]