深高宽比微结构的干法刻蚀  

Dry etching for high aspect ratio microstructures

作　　者：王旭迪[1] 张永胜[1] 胡焕林[1] 汪力[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学机械与汽车工程学院,安徽合肥230009

出　　处：《真空》2004年第5期32-34,共3页Vacuum

摘　　要：介绍了深高宽比微结构在干法刻蚀过程中遇到的刻蚀滞后、刻蚀中止、侧壁弯曲和开槽效应等与传统器件刻蚀不同的现象,讨论了制作高深宽比结构所需的关键技术和检测手段。Unlike the etching process for conventional devices, some special problems will happen in the dry etching process for high aspect ratio(HAR)microstructures, such as RIE lag, etching stop, local bowing and notching effect. The characteristics, key technique and check-up method in HAR etching process are thus discussed.

关 键 词：微结构 深高宽比 干法刻蚀 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]