SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展  

作　　者：余金中[1] 陈少武[1] 夏金松[1] 王章涛[1] 樊中朝[1] 李艳萍[1] 刘敬伟[1] 杨笛[1] 陈媛媛[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《中国科学（E辑）》2004年第10期1081-1093,共13页Science in China(Series E)

基　　金：国家"九七三"计划(批准号: G2000-03-66);"八六三"计划(批准号: 2002AA312060);国家自然科学重大基金(批准号: 69896260);重点基金(批准号: 60336010)资助项目

摘　　要：SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型22热光波导光开关, 在此基础上首次研制出44和88 SOI平面集成波导光开关矩阵.

关 键 词：SOI 光开关矩阵 光波导器件 单模 多模干涉耦合器 脊形波导 单片集成 导光 折射率差 衬底 

分 类 号：TN25[电子电信—物理电子学]