高温快速热处理对氧沉淀消融的作用  

Dissolution of Oxygen Precipitates in Silicon Treated by Rapid Thermal Process

作　　者：林磊[1] 杨德仁[1] 马向阳[1] 李立本[1] 阙端麟[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第10期1273-1276,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 2 4;60 2 2 5 0 10; 5 0 0 3 2 0 10 )资助项目~~

摘　　要：通过对已经过两步 (低 -高 )退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理 ,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况 .研究证实 :高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀 ,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度 .另外 ,讨论了快速热处理消融氧沉淀的物理机制 .The effect of high temperature in rapid thermal process (RTP) on the dissolution of oxygen precipitate generated by two-step (low-high) annealling is investig ated.It is verified that the high temperature in RTP can efficiently dissolve th e existing oxygen precipitates,indicating that the annealing temperature other t han time is the determinative factor for the dissolution of oxygen precipitates. Moreover,the mechanism for the dissolution of oxygen precipitates by RTP is disc ussed.

关 键 词：快速热处理 氧沉淀 直拉硅单晶 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]