场控晶闸管正向特性新理论  

作　　者：郑海东[1] 叶润涛[1] 

机构地区：[1]浙江大学信电系,杭州310008

出　　处：《科技通报》1993年第5期350-350,共1页Bulletin of Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：场控晶闸管(简称:FCT SITH FCD)是在70年代中后期提出的一种功率开关器件,其剖面结构有隐栅和表面栅两种,场控晶闸管研究的学术带头人是美国的B.J.Baliga和日本的西泽润一,在有关场控晶闸管的所有文献中,对于场控晶闸管的理论分析比较少,大多数论文都是提出一种新结构或新工艺,然后报道一个已经达到的水平,可以说是对于场控晶闸管的理论研究落后于器件实践,尤其是正向开关特性。当阳极(A)接正电位,阴极(K)接地,器件工作于正向状态.当栅极(G)不加偏压或所加负偏压小于JFET的夹断电压时,器件处于正向导通状态;当栅极所加负偏压大于JFET的夹断电压时,器件处于正向阻断状态,场控晶闸管正向开关特性有两种情况,其一是栅极控制开关,

关 键 词：场控晶闸管 正向特性 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]