叶润涛

作品数：19被引量：8H指数：2
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供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文主题：场控晶闸管晶闸管功率器件集成电路开关电源更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《微细加工技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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模拟/混合信号硬件描述语言VHDL—AMS综述被引量：5
《微电子学》2001年第2期83-84,共2页韩泽耀 叶润涛 
介绍了 VHDL— AMS(VHDL 1 0 76.1 )——一种完全集成的混合信号设计语言 ,针对该语言的要素进行了探讨 ,通过描述该语言的理论基础、混合建模、语言和应用范围等 ,阐述了VHDL—
关键词：VHDL-AMS 数模混合信号 EDA 硬件描述语言 
压控模拟电感器集成电路
《浙江大学学报（自然科学版）》1995年第5期617-622,共6页陈景银 沈相国 叶润涛 
浙江省自然科学基金
本文对以往模拟电感器电路的静态工作点、相应元件参数以及电路的电感数学公式作了调整，并实现了单片集成．计算机ＳＰＩＣＥ值、理论值、实测值三者曲线基本上一致，并可获得上万亨（Ｑ＞１０）电感量．
关键词：压控模拟电感器 集成电路 电感器 
半导体器件纵向结构模拟工具
《压电与声光》1995年第4期35-38,共4页郑海东 叶润涛 
介绍了半导体器件纵向结构准三维模拟方法，包括版图信息提取，二维工艺模拟等功能。该模拟器可以根据版图信息和工艺参数自动显示器件上任意切线位置处断面图，稍加修改即可用于对Ｓｉ压力传感器等部分压电器件进行工艺模拟。
关键词：工艺模拟 半导体器件 纵向结构 结构 模拟 
水平沟道场控晶闸管正向特性研究
《固体电子学研究与进展》1995年第4期372-376,共5页郑海东 叶润涛 
国家自然科学基金
水平沟道场控晶闸管是由结型场效应晶体管和双极型晶体管复合构成的一种晶闸管。它具有输入阻抗高、电压控制和用低压控制大功率输出的特点。文中对已研制成的一种水平沟道场控晶闸管正向特性进行了较为详细的分析。
关键词：场控晶闸管 水平沟道 LFCT正向特性 
场控晶闸管的测试研究
《微电子测试》1995年第1期6-8,共3页郑海东 叶润涛 
场控晶闸管较之普通晶闸管、门极可关断晶闸管具有正向导通压降低、开关速度高以及正向电压阻断增益高的优点,因此受到很大的关注。本文对场控晶闸管测试时由于测试电阻而造成门极“减偏压”效应进行了较为详细的分析。
关键词：场控 晶闸管 测试 功率开关器件 
GaAs器件中载流子非稳态输运的蒙特卡罗模拟
《Journal of Semiconductors》1993年第8期492-496,共5页王维航 叶润涛 郭妙泉 余志平 
本文用多粒子蒙特卡罗方法对GaAs器件中的载流子非稳态输运过程进行了模拟,解释了载流子速度过冲效应对亚微米器件性能的影响。给出了一种由P集电区、P^+缓变基区和AlGaAs/GaAs异质发射结组成的N^+P^+PN新结构,预计将对缩短基区-集电区...
关键词：GAAS器件 载流子 蒙特卡罗模拟 
场控晶闸管正向特性新理论
《科技通报》1993年第5期350-350,共1页郑海东 叶润涛 
国家自然科学基金
场控晶闸管(简称:FCT SITH FCD)是在70年代中后期提出的一种功率开关器件,其剖面结构有隐栅和表面栅两种,场控晶闸管研究的学术带头人是美国的B.J.Baliga和日本的西泽润一,在有关场控晶闸管的所有文献中,对于场控晶闸管的理论分析比较少...
关键词：场控晶闸管 正向特性 
场控晶闸管
《微电子学》1993年第2期33-38,54,共7页郑海东 叶润涛 
本文回顾了场控晶闸管的历史,研究了国外此类器件的发展过程与趋势,分析了场控晶闸管的特点,总结了我们自己的经验,并提出相应意见。
关键词：功率器件 晶闸管 静电感应 
HVIC中的高压器件——RESURF结构LDMOSFET
《浙江大学学报（自然科学版）》1993年第1期26-34,共9页徐家权 郎金荣 叶润涛 朱大中 
浙江省科委自然科学基金
RESURF(减小表面电场)结构的LDMOSFET(水平沟道二次扩散MOS场效应晶体管)是HVIC(高压集成电路)中较为理想的高压输出器件。本文对RESURF结构的LDMOSFET进行了理论与计算机分析,为探求该器件的设计依据及其与双极器件相兼容的工艺方案,...
关键词：高压器件 高压IC 功率IC HVIC 
高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管被引量：1
《微电子学》1992年第6期8-10,20,共4页郑海东 叶润涛 林新明 
国家自然科学基金
水平沟道场控晶闸管(简称LFCT)是由垂直沟道场控晶闸管发展而来的,它具有开关速度快、与集成电路工艺兼容等特点。我们采用刻蚀V型槽来代替栅扩散,已制成最大正向阻断电压为200V,可关断电流为2A的LFCT,其正向电压阻断增益达40～200。
关键词：水平沟道 场控器件 晶闸管 LFCT 
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