场控晶闸管

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电压瞬变对高压固态开关的影响被引量：3
《信息与电子工程》2010年第2期215-218,共4页朱鸿志 杨永辉 李华梅 
对于高压放电回路,高压开关是一个关键器件。高压放电回路中高压固态开关上电压可能出现瞬变,这种瞬变会引起高压固态开关的误触发或者击穿。开关的工作异常将导致整个放电回路的失效。本文从原理上分析了这种失效产生的原因,并且进行...
关键词：瞬变电压 场控晶闸管 dU/dt 误触发 仿真 
水平沟道场控晶闸管正向特性研究
《固体电子学研究与进展》1995年第4期372-376,共5页郑海东 叶润涛 
国家自然科学基金
水平沟道场控晶闸管是由结型场效应晶体管和双极型晶体管复合构成的一种晶闸管。它具有输入阻抗高、电压控制和用低压控制大功率输出的特点。文中对已研制成的一种水平沟道场控晶闸管正向特性进行了较为详细的分析。
关键词：场控晶闸管 水平沟道 LFCT正向特性 
场控晶闸管的测试研究
《微电子测试》1995年第1期6-8,共3页郑海东 叶润涛 
场控晶闸管较之普通晶闸管、门极可关断晶闸管具有正向导通压降低、开关速度高以及正向电压阻断增益高的优点,因此受到很大的关注。本文对场控晶闸管测试时由于测试电阻而造成门极“减偏压”效应进行了较为详细的分析。
关键词：场控 晶闸管 测试 功率开关器件 
场控晶闸管正向特性新理论
《科技通报》1993年第5期350-350,共1页郑海东 叶润涛 
国家自然科学基金
场控晶闸管(简称:FCT SITH FCD)是在70年代中后期提出的一种功率开关器件,其剖面结构有隐栅和表面栅两种,场控晶闸管研究的学术带头人是美国的B.J.Baliga和日本的西泽润一,在有关场控晶闸管的所有文献中,对于场控晶闸管的理论分析比较少...
关键词：场控晶闸管 正向特性 
场控晶闸管
《微电子学》1993年第2期33-38,54,共7页郑海东 叶润涛 
本文回顾了场控晶闸管的历史,研究了国外此类器件的发展过程与趋势,分析了场控晶闸管的特点,总结了我们自己的经验,并提出相应意见。
关键词：功率器件 晶闸管 静电感应 
高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管被引量：1
《微电子学》1992年第6期8-10,20,共4页郑海东 叶润涛 林新明 
国家自然科学基金
水平沟道场控晶闸管(简称LFCT)是由垂直沟道场控晶闸管发展而来的,它具有开关速度快、与集成电路工艺兼容等特点。我们采用刻蚀V型槽来代替栅扩散,已制成最大正向阻断电压为200V,可关断电流为2A的LFCT,其正向电压阻断增益达40～200。
关键词：水平沟道 场控器件 晶闸管 LFCT 
场控晶闸管的最新进展
《上海半导体》1991年第3期32-38,共7页郑海东 林新明 
关键词：场控晶闸管 晶闸管 
新型结构的水平沟道场控晶闸管被引量：1
《浙江大学学报（自然科学版）》1991年第4期487-488,共2页叶润涛 郑海东 林新明 陈珉 
国家自然科学基金资助课题
本文介绍已研制成功的一种新型结构的水平沟道场控晶闸管(简称LFCT),它具有制作工艺简单、阻断增益高、开关速度快、与集成电路工艺兼容等优点。迄今为止在国内外未见有类似结构的报导。
关键词：水平沟道 场控 晶闸管 
场控晶闸管—一种具有改进电路的功率半导体新器件
《国外电力电子技术》1990年第3期21-24,共4页Gruen.,H 王黛琳 
关键词：场控晶闸管 驱动电路 半导体器件 
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