水平沟道场控晶闸管正向特性研究  

Analysis of Forward Characteristic of Lateral Channel Field-Controlled Thyristor

作　　者：郑海东[1] 叶润涛[1] 

机构地区：[1]浙江大学信电系

出　　处：《固体电子学研究与进展》1995年第4期372-376,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：水平沟道场控晶闸管是由结型场效应晶体管和双极型晶体管复合构成的一种晶闸管。它具有输入阻抗高、电压控制和用低压控制大功率输出的特点。文中对已研制成的一种水平沟道场控晶闸管正向特性进行了较为详细的分析。Lateral channel field-controlled thyristor is a combination of a NJFET and a PNP bipolar transistor. It is a voltage-controlled device with high input impedance,which makes it possible to control higher output power with a lower input voltage. The paper presents a new theory of forward characteristic of field-controlled thyristor.

关 键 词：场控晶闸管 水平沟道 LFCT正向特性 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]