半导体器件纵向结构模拟工具  

Simulation Technique of Vertical Structure of Semiconductor device

作　　者：郑海东[1] 叶润涛[1] 

机构地区：[1]浙江大学功率器件研究所

出　　处：《压电与声光》1995年第4期35-38,共4页Piezoelectrics & Acoustooptics

摘　　要：介绍了半导体器件纵向结构准三维模拟方法，包括版图信息提取，二维工艺模拟等功能。该模拟器可以根据版图信息和工艺参数自动显示器件上任意切线位置处断面图，稍加修改即可用于对Ｓｉ压力传感器等部分压电器件进行工艺模拟。A quasi-three-dimension simulation approach Of semiconductor device vertical structure is described,including extraction of parameters from layout,two-dimension simulation of processing,storage of cross-section data and program fuction.This simulation can automatically display the cross sectional view of device chip along an arbitrary cut-line according to the input lay-out and processing information.

关 键 词：工艺模拟 半导体器件 纵向结构 结构 模拟 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]