用瞬态光致发光研究非对称双量子阱隧穿过程  

作　　者：黄旭光[1] 蔡志岗[1] 李庆行[1] 余振新[1] 王太宏[2] 梅笑冰[2] 杨国桢[2] 

机构地区：[1]中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室,广州510275 [2]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《科学通报》1993年第19期1746-1749,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：高等学校博士点专项科研基金

摘　　要：半导体量子阱超晶格结构的载流子除了具有平行于阱层界面的纵向运动(纵向输运)外,还具有垂直于界面方向的横向运动(横向输运)。横向运动需要穿过势垒阻挡层,因此又称为载流子的隧道穿透效应(Tunneling,简称隧穿)。自从1973年Esaki和Tsu等人的开创性工作以来,特别是量子阱超晶格材料的问世,

关 键 词：量子阱 隧穿过程 光致发光 半导体 

分 类 号：O471.4[理学—半导体物理]