梅笑冰

作品数：9被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：砷化镓GAAS超晶格GAAS/GAALAS硅更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《物理》《科学通报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-9
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaAs/AlGaAs量子线的制备和光致荧光谱
《物理学报》1995年第1期142-144,共3页程文芹 蔡丽红 陈弘 周均铭 谢小刚 梅笑冰 黄绮 赵铁男 朱恪 
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室资助的课题.
利用分子束外延材料的化学选择腐蚀和再生长制备出了GaAs/AIGaAs量子线并且测量了77K的光致荧光谱.也得到透射电子显微镜的照片.
关键词：GAAS/ALGAAS 量子线 制备 光致荧光谱 
GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As超晶格中场致激子峰展宽机制的研究
《Journal of Semiconductors》1993年第10期652-657,共6页张耀辉 江德生 李锋 吴荣汉 周均铭 梅笑冰 
国家自然科学基金
我们利用光电流谱在10—300K温度范围内研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)短周期超晶格中的Wannier-Stark效应,实验发现0h激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于:Wannier-Stark局域化使界面的涨落对电子态的散...
关键词：GAAS/GAALAS 超晶格 激子峰 电场 
InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应
《Journal of Semiconductors》1993年第8期517-521,共5页刘伟 张耀辉 江德生 王若桢 周钧铭 梅笑冰 
本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予...
关键词：化合物半导体 应变层 超晶格 效应 
用瞬态光致发光研究非对称双量子阱隧穿过程
《科学通报》1993年第19期1746-1749,共4页黄旭光 蔡志岗 李庆行 余振新 王太宏 梅笑冰 杨国桢 
高等学校博士点专项科研基金
半导体量子阱超晶格结构的载流子除了具有平行于阱层界面的纵向运动(纵向输运)外,还具有垂直于界面方向的横向运动(横向输运)。横向运动需要穿过势垒阻挡层,因此又称为载流子的隧道穿透效应(Tunneling,简称隧穿)。自从1973年Esaki和Tsu...
关键词：量子阱 隧穿过程 光致发光 半导体 
掺铍GaAs量子阱的光致荧光
《物理学报》1993年第5期864-865,共2页程文芹 梅笑冰 周均铭 刘玉龙 朱恪 
测量了掺铍的,阱宽约为10nm的GaAs量子阱在4.2K的光致荧光。掺杂浓度分别为1×10^(17)和5×10^(18)cm^(-3)。测量结果表明:对于无规掺杂,局域在阱中心的铍的状态密度与导带电子从n=1量子能级到阱中心中性铍的跃迁概率的乘积大于对应于...
关键词：砷化镓 量子阱 光致发光 荧光 铍 
与In扩散进GaAs中相关的超导相的发现
《物理》1992年第9期571-572,共2页李永康 周均铭 黄绮 江潮 梅笑冰 范戆 
关键词：半导体 砷化镓 铟 超导相 
GaAs/GaAlAs超晶格的Wannier-Stark效应
《Journal of Semiconductors》1992年第5期316-321,共6页张耀辉 江德生 李锋 周均铭 梅笑冰 
国家自然科学基金
我们用光电流谱方法在室温和低温下观察了短周期GaAs(35A)/Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3(35A)超晶格的Wannier-Stark效应.在中等电场下,观测到了反映等能量间距的“Stark梯”的谱形.并且发观了激子态由于场致局域化导致的由准三维向准二维转变....
关键词：超晶格 光电流谱法 电场 
掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响被引量：1
《物理学报》1992年第6期1032-1035,共4页程文芹 梅笑冰 刘双 刘玉龙 李永康 周均铭 
用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。
关键词：掺杂 P-GaAs 带隙 浓度 砷化镓 
硅上砷化镓分子束外延工艺及器件应用
《半导体情报》1991年第6期17-18,共2页刘双 梅笑冰 蔡丽红 黄绮 周均铭 
本文介绍了硅上砷化镓异质外延生长工艺及其在器件应用上的结果。由于我们非常重视从三维到二维成核状态转变的初始层的生长,从而明显降低了因砷化镓和硅之间晶格失配和不同热膨胀系数引起的高位错密度,抑制了砷化镓和硅界面处反相畴的...
关键词：分子束外延 硅 砷化镓 工艺 器件 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部