GaAs/AlGaAs量子线的制备和光致荧光谱  

FABRICATION AND PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WIRES

作　　者：程文芹[1] 蔡丽红[1] 陈弘[1] 周均铭[1] 谢小刚[1] 梅笑冰[1] 黄绮[1] 赵铁男[1] 朱恪[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《物理学报》1995年第1期142-144,共3页Acta Physica Sinica

基　　金：中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室资助的课题.

摘　　要：利用分子束外延材料的化学选择腐蚀和再生长制备出了GaAs/AIGaAs量子线并且测量了77K的光致荧光谱.也得到透射电子显微镜的照片.Using selective etching and regrowth, the GaAs/AlGaAs quantum wiles were fabricated, the cross-section trasmision electron microscope image of them were ta-ken, and their photoluminescence spectra were also measured at 77K.

关 键 词：GAAS/ALGAAS 量子线 制备 光致荧光谱 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]