云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAAS/GAALAS

GAAS/GAALAS: 作品数：78被引量：69H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：吴荣汉王明华张耀辉江德生杨建义更多>>; 相关机构：中国科学院浙江大学吉林大学东南大学更多>>; 相关期刊：《微波学报》《光学学报》《Communications in Theoretical Physics》《上海微电子技术和应用》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金江苏省高技术研究计划项目北京市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>

The second harmonic generation in GaAs/GaAlAs spherical quantum dots under Woods-Saxon plus attractive inversely quadratic potential: 《Communications in Theoretical Physics》2022年第8期151-158,共8页Xuechao Li Yiming Duan Yongrui Ma; the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51702003,61775087,11674312,52174161 and 12174161);the Provincial Foundation for Excellent Top Talents of Colleges and Universities of Anhui Province of China(Grant No.gxgwfx2019016);the Anhui Provincial Natural Science Foundation,China(Grant Nos.1808085ME130 and 1508085QF140);University Outstanding Young Talents Support Program Fund(Grant No.gxyqZ D2018039)。; We examine the profile of second harmonic generation(SHG)for GaAs/GaAlAs spherical quantum dots(QDs)of Woods-Saxon(WS)plus attractive inversely quadratic(AIQ)potential under the joint influence of additional factors(p...; 关键词：second harmonic generation quantum dots structural parameters Nikiforov-Uvarov method

电子在掺杂GaAs/GaAlAs斐波那契量子阱中波函数和能量性质被引量：2: 《四川大学学报（自然科学版）》2017年第3期557-560,共4页骆敏程子恒包建阳朱克杰; 南京林业大学2015年度大学生创新训练计划项目(2015sjcx152); 本文利用转移矩阵和边界条件精确计算一维定态薛定谔方程,推导出一维斐波那契量子阱结构中电子波函数的计算条件.考虑了在势阱中掺杂的情况,并且认为势阱中掺杂仅仅只是改变势阱的宽度.在半导体材料的参数范围内,进一步研究了势阱宽度...; 关键词：斐波那契量子阱结构本征波函数本征能量

GaAs/GaAlAs光阴极的XPS深度剖析被引量：1: 《真空科学与技术学报》2013年第8期803-807,共5页冯刘张连东刘晖程宏昌高翔陈高善史鹏飞苗壮; GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析。结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面...; 关键词：深度剖析 GAAS X射线光电子能谱刻蚀速率溅射产额

1×3多模干涉型光功分器的研究被引量：4: 《激光杂志》2012年第2期11-13,共3页赵嫚季敏宁; 上海市教委创新基金项目;"TE模作为基模传输的微结构光子晶体光纤研究"(2008年12月-2011年12月;编号09YZ31);国家自然科学基金项目;编号60777031(2008年1月-2010年12月);上海市重点学科和科委重点实验室项目(S30108;08DZ2231100); 本文采用导模传输分析法,在GaAs/GaAlAs单异质结外延材料上设计了1×3MMI(多模干涉)型光功分器。根据所确定的器件结构参数,结合器件设计和制作过程中可能遇到的因素,详细分析了器件中自映像效应多模波导的宽度和长度、输入单模波导的...; 关键词：多模干涉型光功分器 GAAS/GAALAS 自映像

Modulation transfer function characteristic of uniform-doping transmission-mode GaAs/GaAlAs photocathode被引量：2: 《Chinese Physics B》2011年第8期398-402,共5页任玲常本康; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60678043);the Research and Innovation Plan for Graduate Students of Jiangsu Higher Education Institutions,China (Grant No. CX09B 096Z); The resolution characteristic can be obtained by the modulation transfer function （MTF） of a GaAs/GaA1As photocathode. After establishing the theoretical model of GaAs（100）-oriented atomic configuration and the fo...; 关键词：GaAs/GaAlAs photocathode uniform-doping modulation transfer function spatial res-olution

Effects of Electric Field on Electronic States in a GaAs/GaAlAs Quantum Dot with Different Confinements: 《Chinese Physics Letters》2008年第8期3021-3024,共4页A. John Peter Vemuri Lakshminarayana; Binding energies of shallow hydrogenic impurity in a GaAs/GaAlAs quantum dot with spherical confinement, parabolic confinement and rectangular confinement are calculated as a function of dot radius in the influence of...; 关键词：BINDING-ENERGY IMPURITY STATES HYDROGENIC IMPURITIES MAGNETIC-FIELDS DONOR STATES EXCITON GAAS-GA1-XALXAS CRYSTALLITES CLUSTERS GAAS

Monte Carlo simulation of in-plane spin-polarized transport in GaAs/GaAlAs quantum well in the three-subband approximation被引量：2: 《Chinese Physics B》2006年第3期654-658,共5页孔令刚刘晓彦杜刚王漪康晋锋韩汝琦; Project supported in part by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos 90307006 and 10234010）, and the Research Fund for the Datoral Program of Higher Education of China （Grant Nos 20040001026 and 20020001018）.; We develop a Monte Carlo （MC） tool incorporated with the three-subband approximation model to investigate the in-plane spln-polarized transport in GaAs/GaAlAs quantum well. Using the tool, the effects of the electro...; 关键词：Monte Carlo spin dephasing spin-polarized transport three-subband approximation model

多功能2×2 GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关分析被引量：1: 《电子学报》2003年第8期1201-1204,共4页肖金标孙小菡蔡纯张夕飞朱建彬张明德; 国家 8 63项目 (No 2 0 0 2AA31 2 30 );江苏省高技术项目 (No 770 60 0 80 2 0 ); 提出了一种基于深刻蚀脊形光波导带模斑转换器的多功能 2× 2GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关 ,并用变量变换级数展开法及三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析与优化设计 .结果表明 ,通过控制多模波导中央的两段Schottky电极 ,器件可...; 关键词：光开关多模干涉 GAAS/GAALAS 变量变换级数展开法三维有限差分束传播法

量子阱结构的等效宽度新公式: 《光电子．激光》2002年第9期881-884,共4页周小平周剑英杨爱龄李锡华江晓清王明华; 国家自然科学基金资助项目 (698770 17;60 1770 12 ); 在有效质量近似下 ,分析了 Ga As/ Ga Al As量子阱结构中有限深势阱 (FPB)和理想的无限深势阱(IPB)的粒子的基态能级 ,得到零电场下等效宽度与阱真实宽度之间的显式表达式 ,发现结果与前人的数据吻合得很好 ;进一步的分析表明 ,该公式...; 关键词：量子阱等效宽度 GAAS/GAALAS 有限深势阱无限深势阱 FPB IPB

量子阱结构中的等效宽度分析: 《Journal of Semiconductors》2002年第7期725-730,共6页周小平周剑英杨爱龄李锡华江晓清王明华; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 98770 17)~~; 在有效质量近似下 ,分析了有限深势阱的电子基态能级 ,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较 ,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式 ,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好 .分析了两种模型下的波...; 关键词：量子阱等效宽度结合能 GAAS/GAALAS 光学性质

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