一种16位存储器版图的验证与参数提取  

Extract of Parasitic Parameter of A Kind of Memory of 16 Digit

作　　者：张宏庆[1] 张宏[1] 范军[1] 丁德宏[1] 付世[1] 沈桂芬[1] 

机构地区：[1]辽宁大学物理系,辽宁沈阳110036

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2004年第4期363-366,共4页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

摘　　要：随着集成电路的发展,存储器在IC(IntegratedCircuit)即"集成电路"中地位越来越突出.阐述了对一种16位存储器版图设计中的DRC(DesignRuleChecking)即"设计规则检查"和LVS(LayoutVersusSchematic)即"版图和电路比较"、以及RC寄生参数的提取.With development of Integrated Circuit, memory is more important in IC. This paper states design of layout and examination of DRC (Design Rule Checking) and LVS (Layout Versus Schematic) and extract of RC parasitic parameter of a kind of memory of 16 digit.

关 键 词：DRC LVS 寄生参数 

分 类 号：O45[理学—无线电物理]