氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响  

Effect of oxygen plasma treatment on AlGaN Schottky contacts

作　　者：唐广[1] 郝智彪[2] 钱可元[1] 罗毅[1] 

机构地区：[1]清华大学深圳研究生院,深圳518000 [2]清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京100084

出　　处：《功能材料与器件学报》2004年第4期451-454,共4页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家自然科学基金(No.60244001);清华大学基础研究基金(No.JZ2002005)资助项目

摘　　要：研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化,并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行,可应用于制备高性能的AlGaN/GaNHEMT器件。The effects of dry etching and oxyge n plasma treatment on AlGaN surface p roperty were studied.Under optimized condition,the surface of AlGaN is oxidated resulting in decreased reverse leakage current by two orders of magn itude and increased breakdown volta ge.This method is simple to fabricate high performance AlGaN/GaN HEMT devices.

关 键 词：ALGAN 肖特基接触 等离子体 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]