唐广

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：清华大学更多>>
发文主题：HEMTGANALGAN大功率半导体器件管芯更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2004年第4期451-454,共4页唐广 郝智彪 钱可元 罗毅 
国家自然科学基金(No.60244001);清华大学基础研究基金(No.JZ2002005)资助项目
研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化,并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行,可应用于制备...
关键词：ALGAN 肖特基接触 等离子体 
Static Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Different Thickness of AlGaN Layer
《Journal of Semiconductors》2003年第11期1130-1134,共5页吴桐 郝智彪 唐广 郭文平 胡卉 孙长征 罗毅 
国家自然科学基金(批准号 :60 2 44 0 0 1);清华大学基础研究基金(批准号:JZ2 0 0 2 0 0 5 )资助项目~~
The growth and device fabrication of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are carried out by using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) system.Specially the performances of HEMT devices with diff...
关键词：HEMT GAN power devices 
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