Static Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Different Thickness of AlGaN Layer  

不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性(英文)

作　　者：吴桐[1] 郝智彪[1] 唐广[1] 郭文平[1] 胡卉[1] 孙长征[1] 罗毅[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第11期1130-1134,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号 :60 2 44 0 0 1);清华大学基础研究基金(批准号:JZ2 0 0 2 0 0 5 )资助项目~~

摘　　要：The growth and device fabrication of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are carried out by using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) system.Specially the performances of HEMT devices with different thickness of AlGaN layer are compared.The device with thinner spacer layer exhibits better static performance.And a maximum saturation current density of 650mA/mm and a peak extrinsic transconductance of 100mS/mm are obtained from the devices with gate length of 1μm.利用金属有机化合物气相外延技术研究了 Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管 (HEMT)结构的外延生长及器件制作 ,重点比较了具有不同 Al Ga N层厚度的 HEMT器件的静态特性 .实验发现具有较薄 Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性 .栅长为 1μm的器件获得了 6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和 10 0 m S/ mm的最大跨导 .

关 键 词：HEMT GAN power devices 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]