TTL电路中一种新型的抗饱和结构的设计与分析  

A Novel Saturation Control Design and Analysis in TTL Circuits

作　　者：刘慧敏[1] 吴丹[2] 姜梅[2] 

机构地区：[1]黄冈职业技术学院计算机系,黄冈436100 [2]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《计算机与数字工程》2005年第1期121-124,共4页Computer & Digital Engineering

摘　　要：本文提出了一种新型的抗饱和结构的设计 ,它能以最小的代价来改善TTL门电路的性能。附加的反馈晶体管有效的控制了输出晶体管进入深饱和状态 ,因此在提高关断速度方面的成就与采用肖特基势垒二极管的成就相似 ,而且这种结构有更好的抑制噪声能力 ,同时能和任何双极型工艺兼容。A novel technique of saturation control in TTL circuits is described and analyzed.The approach can considerably improve the performance of a TTL gate at only minor expense.An additional feedback transistor is applied and it provides an efficient saturation control of the gate output transistor.This results in a turnoff speed improvement and it is close to that of the SBD approach,but the novel method has better noise-immunity characteristics and is compatible with any bipolar process.

关 键 词：TTL电路 饱和控制 肖特基势垒二极管 噪声容限 

分 类 号：TN710[电子电信—电路与系统]