利用硅的各向异性腐蚀技术批量制作压力传感器  

Batch Fabrication of Pressure Transducers Using Anisotropic Chemical Etching of Silicon

作　　者：郑丹[1] 李昕欣[2] 

机构地区：[1]沈阳化工学院 [2]沈阳仪器仪表工艺研究所

出　　处：《沈阳化工学院学报》1993年第2期117-122,共6页Journal of Shenyang Institute of Chemical Technolgy

摘　　要：介绍一种新颖的采用硅的各向异性化学腐蚀工艺形成压力传感器的技术.给出了各向异性腐蚀的机理,报告了三种不同腐蚀液(KOH,EPW,TMAH)的腐蚀工艺及实验结果.并结合腐蚀技术介绍了硅电容压力传感器的制作工艺.A novel technology of fabricating pressure sensors using anisotropic etching is de- scribed.The etching theory is given and the experimental procedure of three kinds of etchant (KOH,EPW,TMAH) is reported.Some results obtained are encouraging.Asso- ciated with etching technique,a process method of fabricating silicon capacitive pressure- sensing elements is also introduced.

关 键 词：硅 各向异性腐蚀 压力传感器 电容 

分 类 号：TM531.6[电气工程—电器]