小尺寸半导体器件流体动力学方程解的长时间行为  

The Long Time Behavior of Solutions to the Hydrodynamic Model of the Submicron Devices

作　　者：孙建筑[1] 

机构地区：[1]南京林业大学信息科学技术学院,江苏南京210037

出　　处：《南京林业大学学报（自然科学版）》2005年第1期64-66,共3页Journal of Nanjing Forestry University：Natural Sciences Edition

基　　金：国家自然科学基金青年基金资助项目(10301014)

摘　　要：用能量方法证明了当初始数据与稳态解很近,且时间趋于无穷时,小尺寸半导体器件流体动力学方程指数衰减到唯一的稳态解,从而改正了文献[1]的错误。This study proves that the solution of the hydrodynamic model of submicron semiconductor devices converges to the unique steady solutions exponentially fast as time goes to infinity,and which corrects the mistakes made in reference \.We also point out the mistake in reference \ under b(x)≡1.

关 键 词：流体动力学 半导体器件 Lagrange坐标 EULER-POISSON方程 

分 类 号：O175.29[理学—数学]