面状分布缺陷谐振环对左手材料微波效应的影响  

作　　者：康雷[1] 罗春荣[1] 赵乾[1] 宋娟[1] 付全红[1] 赵晓鹏[1] 

机构地区：[1]西北工业大学电流变技术研究所,141信箱西安710072

出　　处：《科学通报》2004年第23期2407-2409,共3页Chinese Science Bulletin

摘　　要：研究了面状分布缺陷开口谐振环(split ring resonators,SRRs)组对三维左手材料的微波透射行为的影响.用电路板刻蚀技术制备了以六边形SRRs与金属铜Wires组合为结构单元的三维左手材料样品,利用波导法测量了含有不同空间取向面缺陷SRRs构成的三维左手材料X波段(8-12GHz)微波透射行为.实验表明,相对于无缺陷情形,面缺陷的引入使谐振峰谐振频率移动,且红移、蓝移的情况都存在;谐振强度明显下降,最多达到19.3 dB,相当于原来的46%;通频带宽在[315-817.5 MHz]范围变化.面缺陷的存在破坏了材料的周期性结构,导致形成新的电磁谐振条件、谐振峰发生变化.不同空间取向的面缺陷对材料周期性结构改变程度不同,其缺陷效应差异较大.相对于点缺陷、线缺陷,面缺陷效应更强.

关 键 词：微波 左手 谐振峰 影响 行为 改变 MH 缺陷效应 刻蚀技术 谐振条件 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]