氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究  

Studies on ZnO/Si Grown by O^+-assisted PLD

作　　者：李庚伟[1] 吴正龙[2] 邵素珍[3] 张建辉[4] 刘志凯[4] 

机构地区：[1]中国地质大学材料科学与工程学院,北京100083 [2]北京师范大学分析测试中心,北京100875 [3]北京市第四十七中学,北京100090 [4]中国科学院半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《材料导报》2005年第2期109-111,共3页Materials Reports

基　　金：国家"863"计划资助项目(863-715-001-0162)

摘　　要：利用 X 射线衍射(XRD),X 射线摇摆曲线(XRC)和 X 射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的 ZnO/Si 异质结薄膜进行了分析。结果表明:用该法可生长出高度 c 轴单一取向 ZnO 薄膜,XRC 的半高宽度(FWHM)仅为2.918°。表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的 ZnO/Si 薄膜。Heteroepitaxial structure ZnO/Si(111)grown by O^+—assisted pulsed laser deposition(PLD)has been investigated by using X-ray diffraction(XRD),X-ray rocking curve(XRC)and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)measurements.Results show that the thin films grown on Si(111)may be high c-axis oriented ZnO thin film. The FWHM of XRC is only 2.918°.It indicates that by using the growing method being optimized,the ZnO/Si films with highly c-axis aligned quality can be obtained.

关 键 词：ZnO/Si 氧离子束辅助激光淀积生长 异质结薄膜 X射线摇摆曲线 X射线光电子能谱 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]