硅片直接键合过程中的界面控制  

Interface Control During Silicon Direct Bonding

作　　者：张正璠 

机构地区：[1]机电部第24研究所,四川重庆630060

出　　处：《微电子学》1993年第1期11-14,共4页Microelectronics

摘　　要：本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。The dependence of the Si-Si interfacial layer on a bonded wafer upon the material, chemical treatment, bonding conditions and high temperature handling has been investigated. Also, the dependence of Si-SiO2 interface state in the bonded wafer upon process technology is described in the paper.

关 键 词：单晶硅 Si/Si界面 SOI 键合工艺 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]