辉光放电电子束瞬态退火研究  

STUDY ON TRANSIENT ANNEALING BY GLOW DISCHARGE ELECTRON BEAM

作　　者：李秀琼[1] 卢殿通[2] 陈维德[3] 杨军[1] 

机构地区：[1]中科院微电子中心研究部,北京100010 [2]北京师范大学低能所 [3]中国科学院半导体所

出　　处：《微细加工技术》1993年第2期37-40,共4页Microfabrication Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：辉光放电电子束已成功用于半导体浅结掺杂和离子注入后的退火处理。本文介绍了用自制的辉光放电电子束机分别对硅中注硼、注砷的损伤进行退火的研究,并与热退火和白光退火结果进行了比较。Glow discharge electron beam have been successfully used in annealing treatment of semiconductors, in which the shallow junction is formed by ion-implantation doping. The research work on the annealing of B-ion or As-ion implanted silicon wafers by self-made glow discharge electron beam machine is presented. The results are compared with ones of heat annealing and lamp annealing.

关 键 词：半导体 掺杂 离子注入 退火 辉光放电 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]