不同能量离子束辅助淀积合成氮化铝薄膜的研究  

Polycrystalline AlN Films Prepared by Ion-Beam Assisted Deposition with Different Energy

作　　者：杨杰[1] 王晨[1] 陶琨[1] 范玉殿[1] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系,北京100084

出　　处：《无机材料学报》1993年第3期316-320,共5页Journal of Inorganic Materials

基　　金：国家自然科学基金;中关村分析测试基金资助

摘　　要：用不同轰击能量的氮离子束辅助淀积(IBAD)铝,合成氮化铝薄膜.通过 X 射线衍射(XRD)、X光电子谱(XPS)、离子背散射(RBS)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)等分析手段对所合成的薄膜进行了成份分布和结构分析.实验表明,在氮离子束轰击能量为5keV 和15keV 时,得到的是 Al-AlN 薄膜,随着轰击能量的增加,未参加化学反应的 Al 原子含量下降.当用20keV 氮化离子束轰击时,得到了具有氮铝原子比为1∶1的多晶 AlN 薄膜.离子束混合及离子束引起的增强扩散效应被认为是形成多晶随机取向 AlN 薄膜的主要原因.Aluminum nitride films were synthesized by e-gun evaporation of aluminum on Si(111) wafer and glassy carbon,with simultaneous bombardment of 5～20 keV nitrogen ion.The re- sultant films were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy(XPS),X-ray diffraction (XRD),SEM,TEM and Rutherford back-scattering spectrometry(RBS).Under specific ex- perimental condition,polycrystalline AlN films,with hexagonal structure,were obtained.The correlation between experimental parameters and the resulted structure as well as the stoi- chiometry of the AlN films is also discussed.

关 键 词：氮化铝 薄膜 离子束 淀积 晶体 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]