ADI推出iCMOS制造工艺  

出　　处：《世界电子元器件》2005年第1期78-78,共1页Global Electronics China

摘　　要：日前一种全新的0.6μm iCMOS工艺为工业领域的IC电路设计提供了又一可选方案，它将高压半导体工艺与亚微米CMOS、互补双极性工艺结合，可以承受30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压为50V。iCMOS工艺的主要特点是能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这意味着通过对同一芯片施加多种电源电压，一颗单芯片能实现5V电压CMOS电路和16V、24V或30V高电压的CMOS电路混合和匹配。

关 键 词：CMOS电路 CMOS工艺 半导体工艺 单元电路 ADI 单芯片 IC电路 扩展 匹配 双极性 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]