MOCVD法生长(Al,Ga)As碳掺杂机理研究  

作　　者：黄柏标[1] 刘士文[1] 徐现刚[1] 任红文[1] 蒋民华[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体材料研究所,250100

出　　处：《稀有金属》1993年第3期192-195,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3^-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。

关 键 词：MOCVD法 (Al Ga)As 碳掺杂 机理 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]