刘士文

作品数：11被引量：10H指数：2
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发文主题：MOCVDMOCVD生长砷化镓GAAS/ALGAASALGAAS更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《固体电子学研究与进展》《红外与毫米波学报》《电子学报》更多>>
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Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉被引量：2
《电子学报》2001年第5期692-694,共3页程兴奎 黄柏标 徐现刚 任红文 刘士文 蒋民华 
国家自然科学基金! (No .699760 1 6) ;山东省自然科学基金! (No.Y98G1 1 1 0 7)
由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理...
关键词：多量子阱 电子干涉 砷化镓 ALGAAS 
GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收
《红外与毫米波学报》1997年第5期339-343,共5页程兴奎 黄柏标 徐现刚 刘士文 任红文 蒋民华 
国家自然科学基金
在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．
关键词：多量子阱结构 电子干涉 红外吸收 砷化镓 铝镓砷 
MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性
《山东大学学报（自然科学版）》1996年第4期471-475,共5页程兴奎 黄柏标 徐现刚 刘士文 任红文 蒋民华 
国家自然科学基金资助项目
对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发...
关键词：MOCVD 多量子阱 光致发光 砷化镓 ALGAAS 
MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性被引量：1
《红外与毫米波学报》1994年第1期33-36,共4页程兴奎 黄柏标 徐现刚 刘士文 任红文 蒋民华 
国家自然科学基金
对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为...
关键词：多量子阱 子带 红外辐射 外延生长 
MOCVD法制备GaSb、GaAsSb、AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料被引量：3
《稀有金属》1994年第1期45-50,共6页刘士文 徐现刚 黄柏标 刘立强 任红文 蒋民华 
本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用组分缓变过渡层和超晶格结构来...
关键词：锑 化合物半导件 外延生长 MOCVD 
MOCVD法生长(Al,Ga)As碳掺杂机理研究被引量：1
《稀有金属》1993年第3期192-195,共4页黄柏标 刘士文 徐现刚 任红文 蒋民华 
分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3^-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。...
关键词：MOCVD法 (Al Ga)As 碳掺杂 机理 
MOCVD生长GaAs/AlGaAs掺杂量子异质结构工艺评价被引量：1
《人工晶体学报》1993年第2期132-135,共4页任红文 刘士文 徐现刚 黄柏标 蒋民华 
国家自然科学基金
对常压 MOCVD 生长 GaAs/AIGaAs 掺杂多量子阱、超晶格及双极异质晶体管(HBT)和双势垒量子共振隧穿二极管(DBRTD)的生长工艺与结构性能的关系进行了研究。连续生长的量子阱材料载流子低温光荧光(PL)发光波长较间断生长结果蓝移,但强度...
关键词：化学汽相沉积 晶体 砷化镓 ALGAAS 
MOCVD生长GaAs/AlGaAs清晰超薄异质外延材料
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1992年第4期349-352,共4页刘士文 任红文 刘立强 徐现刚 黄柏标 蒋民华 
国家自然科学基金
一、引言 GaAs/AlGaAs作为较理想的晶格匹配Ⅲ-V族半导体异质结构材料,具有较大的能带不连续性,因而其异质结及量子阱和超晶格已在许多新型微电子及光电子器件物理研究领域得到广泛的应用,如量子阱激光器(QWLD)、高电子迁移率晶体管(HE...
关键词：MOCVD GAAS 异质结 量子阱 
MOVPE生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格及其TEM表征
《红外与毫米波学报》1992年第2期139-144,共6页徐现刚 黄柏标 任红文 刘士文 蒋民华 
国家自然科学基金
报道用金属有机汽相外延技术(MOVPE)生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格结构材料及其光电器件应用,用横断面透射电子显微术(XTEM)表征外延层结构.在自电光效应光学双稳态器件(SEED)中,超晶格层-层之间界面清晰,厚度均匀,周期性完整.对某些...
关键词：MOVPE XTEM 半导体 砷化镓 
MOCVD生长GaAs/AlGaAs量子阱研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》1992年第1期4-7,共4页任红文 黄柏标 刘士文 刘立强 徐现刚 蒋民华 
国家自然科学基金资助
利用常压MOCVD技术在较低生长速率下生长出多种GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,利用低温PL谱和TEM对材料结构进行了表征。所得势阱和势垒结构厚度均匀平整,最窄阱宽为1.8nm。本研究表明,低速率(γ≤0.5nm/s)连续生长工艺能够避免杂质在界...
关键词：生长 量子阱 MOCVD GAAS/ALGAAS 
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