MOCVD法制备GaSb、GaAsSb、AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料  

作　　者：刘士文[1] 徐现刚[1] 黄柏标[1] 刘立强[1] 任红文[1] 蒋民华[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体材料研究所

出　　处：《稀有金属》1994年第1期45-50,共6页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用组分缓变过渡层和超晶格结构来解决品格失配问题，利用ＳＥＭ和光学显微镜、Ｘ射线衍射仪、电子探针等测量、分析了外延层结构与组分、表面与断面形貌及其电学性质。测得ＧａＳｂ６／ＧａＡｓ结构中非有掺杂ＧａＳｂ层的Ｘ射线双晶摆曲线半峰小于１５０孤秒，霍尔迁移率μ＿ｐ（３００ｋ）＞６２０ｃｍ￣２／Ｖ·８，载流子浓度小于１×１０￣１６ｃｍ￣（－３），接近同质外延水平．

关 键 词：锑 化合物半导件 外延生长 MOCVD 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]