刘立强

作品数：6被引量：5H指数：2
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供职机构：山东大学晶体材料研究所更多>>
发文主题：MOCVDMOCVD法HBTGASBGAASSB更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《化学反应工程与工艺》《稀有金属》《计算机应用研究》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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MOCVD法制备GaSb、GaAsSb、AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料被引量：3
《稀有金属》1994年第1期45-50,共6页刘士文 徐现刚 黄柏标 刘立强 任红文 蒋民华 
本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用组分缓变过渡层和超晶格结构来...
关键词：锑 化合物半导件 外延生长 MOCVD 
MOCVD生长GaAs/AlGaAs量子阱研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》1992年第1期4-7,共4页任红文 黄柏标 刘士文 刘立强 徐现刚 蒋民华 
国家自然科学基金资助
利用常压MOCVD技术在较低生长速率下生长出多种GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,利用低温PL谱和TEM对材料结构进行了表征。所得势阱和势垒结构厚度均匀平整,最窄阱宽为1.8nm。本研究表明,低速率(γ≤0.5nm/s)连续生长工艺能够避免杂质在界...
关键词：生长 量子阱 MOCVD GAAS/ALGAAS 
ALE GaAs生长过程中的表面吸附
《人工晶体学报》1992年第1期53-58,共6页刘立强 蒋民华 
本文以实验结果为基础,根据 ALE GaAs 生长过程中的自限特性和 Langmiur 单层吸附模型,计算了在 TMGa 暴露周期各化学物种的气相分压和表面复盖度随温度、TMGa 注入量和反应系统压力的变化关系。讨论了生长参数的改变对生长速率和 C 掺...
关键词：原子层外延 砷化镓 吸附 物种 
MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》1991年第3期230-234,共5页黄柏标 刘士文 任红文 刘立强 蒋民华 徐现刚 
国家自然科学基金项目
本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15～40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振...
关键词：双极晶体管 异质结 工艺 MOCVD 
PP-MAH粘接性高分子材料的合成研究
《化学反应工程与工艺》1991年第1期99-102,共4页刘立强 邢希增 袁秀梅 郭天英 
PP-MAH 接枝共聚物是一种新型的粘接性高分子材料,其粘接性能取决于 MAH 接枝率。在以溶液法进行共聚物合成时,反应温度和引发剂浓度对 MAH 接枝率有强烈的影响。实验表明,在温度≤100℃时,MAH 接枝率小于0.20 wt%,BPO 浓度对接枝率无...
关键词：聚丙烯 马来酸酐 PP-MAH 接枝共聚 
长城0520C—H高中分辨率汉字系统同从硬盘自举的新方法
《计算机应用研究》1990年第3期18-19,共2页刘立强 
长城0520C—H微机是国内普遍使用的微机系列,它具有高中分辨率两种显示模式,并可分别运行长城微机公司提供的GWBIOS和IBMPC/XT系列及其兼容机流行使用的CCBIOS(CC-DOS)两种汉字系统。
关键词：微机 汉字系统 硬盘 操作系统 自举 
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