原子层外延

作品数：21被引量：16H指数：2
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GaN HEMT器件的AlN缓冲层MOCVD外延生长研究
《舰船电子对抗》2020年第5期116-120,共5页倪洪亮 吴金星 
探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PALE)和传统连续生长相结合的方法,在提高AlN缓冲层生长速度的同时改善晶体的质量。采用优化后的生长工艺,...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 ALN缓冲层 金属有机化学气相沉淀 脉冲原子层外延 
ALE法对InSb/GaAs异质薄膜电学性能的改进被引量：2
《激光与红外》2017年第1期67-71,共5页尚林涛 刘铭 周朋 邢伟荣 沈宝玉 
以GaAs(100)为衬底,采用原子层外延(ALE)的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30nm的InSb低温缓冲层,以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配(14.6%)对外延层质量造成的不利影响,从而改进异质外延薄膜的电学性能。实...
关键词：分子束外延 原子层外延 本征 INSB GAAS 
原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展
《材料导报》2012年第17期16-20,共5页何晓崐 左然 徐楠 于海群 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2...
关键词：原子层外延 GAAS 表面化学反应 
电化学原子层外延及其新材料制备应用研究进展被引量：4
《材料导报》2005年第9期87-90,共4页侯杰 杨君友 朱文 郜鲜辉 
国家基础研究重大项目前期专项(2004CCA03200);国家自然科学基金(50401008)
电化学原子层外延(ECALE)是电化学沉积和原子层外延技术的结合,通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个原子层而实现外延生长。详细介绍了电化学原子层外延(ECALE)的基本原理和特点,分析了影响 ECALE 过程的关键要素...
关键词：纳米超晶格 ECALE 欠电位沉积 原子层外延 
应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式
《液晶与显示》2004年第2期128-133,共6页王浩 廖常俊 范广涵 刘颂豪 郑树文 李述体 郭志友 孙慧卿 陈贵楚 陈炼辉 
国家科技攻关计划资助项目 (No.0 0 0 68) ;国家"973"资助项目 ( 0 0 1CB3 0 93 0 2 ) ;广东省重大科技专项资助项目 (No .2 0 0 3A10 3 0 40 5 )
应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo DiskMOCVD外延生长过程 ,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处 ,当通过控制生长参数达到优质外延时 ,实际上是一种亚原子外延过程 。
关键词：原子层外延法 分子层外延法 金属有机化学气相淀积 参数调整 外延设备 ALE反应装置 
利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN被引量：5
《半导体光电》2001年第6期428-432,共5页刘宝林 
福建省自然科学基金重点资助项目 (E982 0 0 0 1)
在传统的二步MOCVD外延生长的基础上 ,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的AlN层来减少Al2 O3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量 ,从而提高外延层GaN...
关键词：MOCVD 原子层外延 三步外延 器件质量 外延生长 氮化镓 
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延
《真空科学与技术》1998年第4期302-307,共6页樊玉薇 李永祥 吴冲若 
国家自然科学基金!69406002
介绍一种外延沉积化合物半导体材料的新方法──电化学原子层外延技术，它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来，通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简...
关键词：电化学 原子层外延 Ⅱ-Ⅵ族 化合物半导体 
ZnS:Mn原子层外延ACTFEL的老炼特性
《光电子技术》1997年第2期148-153,共6页樊卫华 
本文分析了以对称电压波形驱动的ZnS：MnACTFEL的老化过程。样品用对称波形的电压老炼，因而在老练过程中有一时间平均电场作用在荧光粉层上。利用瞬态测量来判定依赖于老炼过程的电压极性。当用对称老炼及产生正向时间平均场的波形作...
关键词：平均场 原子 对称 电场 极化 判定 时间 电压波形 电压极性 荧光粉层 
MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究被引量：1
《光子学报》1996年第4期318-321,共4页罗风光 曹明翠 李洪谱 万安君 徐军 李再光 
电科院预研基金
本文对 MOCVD 激光诱导选择原子层外延进行了研究,设计并制作了一种激光诱导原子层外延生长室结构,该系统能实现低温 MOCVD 生产,可形成稳定的层流,易于生长均匀的外延层,通过激光诱导可实现选择性的原子层外延.
关键词：MOCVD 激光诱导 选择原子层 外延生长 
激光诱导原子层加工技术
《仪器仪表学报》1995年第S1期162-166,共5页张玉书 
激光诱导原子层加工技术是近两年提出的新兴微细加工技术，本文对激光诱导原子层外延生长、原子层刻蚀、原子层掺杂等主要技术及其对能带工程的促进作用作了概要介绍。
关键词：单原子层 激光诱导 微细加工技术 外延生长 原子层外延 能带工程 超晶格 带偏移 准分子激光 刻蚀速率 
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