樊玉薇

作品数：12被引量：20H指数：3
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供职机构：东南大学电子科学与工程学院更多>>
发文主题：PTCRCDTE半导体正温度系数热敏电阻器更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《传感技术学报》《微细加工技术》《东南大学学报（自然科学版）》更多>>
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延
《真空科学与技术》1998年第4期302-307,共6页樊玉薇 李永祥 吴冲若 
国家自然科学基金!69406002
介绍一种外延沉积化合物半导体材料的新方法──电化学原子层外延技术，它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来，通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简...
关键词：电化学 原子层外延 Ⅱ-Ⅵ族 化合物半导体 
水溶液中阴极电沉积半导体 CdTe 薄膜性能的研究被引量：4
《太阳能学报》1998年第4期425-428,共4页樊玉薇 李永祥 吴冲若 
国家自然科学基金
研究了半导体ＣｄＴｅ薄膜不同阴极电沉积条件（搅拌、加温）下，沉积电位与电流密度、沉积速率的关系。着重研究了沉积电位对ＣｄＴｅ膜层成份及导电类型的影响，通过控制沉积电位制备了不同导电类型的半导体ＣｄＴｅ薄膜。对沉积膜形...
关键词：半导体 薄膜 沉积电位 太阳能 
钛酸钡基热敏电阻器低温调阻法
《电子元件与材料》1998年第2期30-32,共3页樊玉薇 陈后胜 吴冲若 
通过陶瓷与酸的相互作用，使钛酸钡基ＰＴＣＲ陶瓷材料烧成样品的阻值上升。酸处理工艺条件对阻值上升幅度有一定影响。酸处理后的样品的综合电性能的变化，确定了用酸处理升高阻值的可行性。运用复阻抗分析法对样品阻值上升前后晶粒、...
关键词：钛酸钡基 PTCR 热敏电阻器 酸处理 
电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究被引量：5
《东南大学学报（自然科学版）》1998年第1期37-42,共6页樊玉薇 李永祥 吴冲若 
国家自然科学基金
阐述了一种外延沉积化合物半导体的新方法———电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ），并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论．着重研究了Ⅱ、Ⅳ族元素Ｃｄ、Ｔｅ的电化学欠电势沉积，根据电化学循环伏安曲线，研究了Ｔｅ与Ｃｄ在Ｓｉ...
关键词：ECALE CDTE 欠电势沉积 薄膜 
半导体CdTe薄膜电化学沉积研究被引量：1
《功能材料》1998年第2期180-182,共3页樊玉薇 李永祥 吴冲若 
国家自然科学基金
本文研究半导体ＣｄＴｅ薄膜在ＩＴＯ透明导电玻璃基底上的电化学沉积。分析了电化学沉膜过程以及反应机理，对不同电参数下沉积膜进行了性能表征，研究了温度、沉积电压等参数对膜性能的影响，探讨了制备颗粒细小、均匀性好并具有一定...
关键词：薄膜 沉积参数 膜性能 碲化镉 电化学沉积 
陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究
《东南大学学报（自然科学版）》1996年第3期106-109,共4页樊玉薇 贾连娣 吴冲若 
陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究樊玉薇，贾连娣，吴冲若（东南大学电子工程系，南京２１００１８）为使钛酸钡系陶瓷正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）的电阻率在一定范围内，一般方法是通过控制原材料纯度、微量元素分布均匀性与工艺过程...
关键词：陶瓷 热敏电阻 氢处理 降阻 正温度系数 PTCR 
功能薄膜电化学沉积技术的新进展被引量：1
《功能材料》1996年第5期475-477,共3页李永祥 樊玉薇 吴冲若 
国家自然科学基金
电化学技术被广泛用于新型材料和结构的制备研究中。本文结合作者正在开展的研究工作，综述近年来电化学技术在半导体薄膜、氧化物超导薄膜、导电聚合物以及复合功能材料制备中的应用。该技术及其所制备的材料在光电转换、光开关和量子...
关键词：功能薄膜 电化学沉积 半导体 复合功能材料 薄膜 
钛酸钡系PTCR与氢气相互作用的研究
《传感器技术》1996年第5期13-16,共4页樊玉薇 贾连娣 吴冲若 
研究钛酸钡系ＰＴＣＲ与氢气的相互作用，实现了烧成后陶瓷ＰＴＣＲ样品的氢处理可控制降阻。通过测试降阻后样品电性能的变化以及阻值长期稳定性，确认了氢处理降阻的可行性。研究了ＰＴＣＲ与氢气相互作用过程，并从晶界势垒变化角度...
关键词：钛酸钡陶瓷 正温度系数 热敏电阻 氢气氛 
PTCR阻值的控制与调整被引量：6
《传感技术学报》1995年第2期74-79,共6页孙平 樊玉薇 贾连娣 吴冲若 陈后胜 
从晶粒电阻、晶界电阻以及陶瓷基体与金属电极接触电阻三方面详细讨论了材料配方及工艺对PTCR阻值的影响规律.烧结后样品阻值可通过后续处理调整到所需的数数.
关键词：正温度系数 热敏电阻器 控制 调整 
Si_3N_4膜绝缘与击穿特性的研究被引量：3
《真空科学与技术》1993年第6期375-381,共7页吴冲若 樊玉薇 
国家自然科学基金
论述以SiH_4+Ar+N_2为源气体的PECVD氮化硅膜层绝缘与击穿特性。通过改变沉积温度、反应气体比、沉淀时间等因素,系统研究了这些沉积工艺参数对Si_3N_4膜绝缘耐压性能的影响。在一定的沉积条件下,得到了耐压性能可与LPCVD工艺所沉漠层...
关键词：氮化硅膜 电击穿 薄膜 绝缘 电性质 
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